パワーMOS FET使用大容量半導体リレー

失敗したFLL351+FLL200パワーアンプの調整時に、ドレイン電圧の開閉をトランジスタでしたところ
オン抵抗による発熱と電圧降下でエライことになり、仕方なくパワーリレーを使って回路を組み直し
ているときなんとかならないものかと思いついたもの。
もちろん大容量のパワーリレーがあればそれはそれで良いのですが、結構高価だし、リレーそのもの
の駆動電流もバカにならない(そのためにまたスタンバイ回路が重装備になる)、そしてなによりも
機構部品なのでヘタるという問題もあります。(個人的にはこういうのはキライ)
このような問題点を踏まえて現在設計中です。(って偉そうにいう程難しいことはないんですが。)

目標は

・連続20A程度は取り出せる(さすがにFETに放熱器いるかもなぁ....)
・プリアンプの電源も制御できるように1A程度のブレイク接点を設ける。
・省電力
・開閉をスタンバイ回路の信号線で直接制御できるようにする
・1個500円程度でできる(これ重要!!)

の4点です。

結果報告(2003/10/19):
当局の知識を総動員?し、PICによるデジタル回路まで持ち出してあれこれ実験してしてみましたが、結
局どれもうまく動作しませんでした。
再度考え直した結果、小型リレーを使って半導体リレーを駆動するというハイブリッド方式を思いつき
ました。
機構部品を使わないという当初の目標は達成できませんでしたが、とりあえずこれでよしとしようと思
います。
外観
回路図


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